东芝推出新60V P沟道MOSFET

盖世汽车讯 2月5日，东芝电子欧洲分公司（Toshiba Electronics Europe）宣布推出两款基于其U-MOS VI工艺的60V.P沟道MOSFET，将扩大适合汽车应用的设备范围，例如负载开关、半导体继电器和电机驱动器。

图片来源：东芝

新产品XPH8R316MC和XPH13016MC符合AEC-Q101（汽车可靠性标准）。作为该标准的一部分，这两款新产品均采用SOP Advance（WF）封装，即一种具有可润湿侧面端子结构的表面贴装样式。这有利于焊点的自动光学检查（AOI），对于恶劣汽车环境下的可靠性至关重要。此外，此种封装内的铜连接可以降低封装电阻、提高效率并减少热量积聚。

XPH8R316MC的额定连续漏极电流（ID）为-90A，XPH13016MC的额定ID为-60A。而脉冲漏极电流（IDP）是这些值的两倍，分别为-180A和-120A。这两款新产品的额定漏源电压（VDSS）均为-60V，并且能够在高达175°C的通道温度（Tch）下工作。

XPH8R316M的最大漏源导通电阻（RDS（ON））8.3mΩ，比东芝现有的TPCA8123低约25%。XPH13016MC的最大漏源导通电阻为12.9mΩ，比TPCA8125低约49%。RDS（ON）值的大幅降低有助于显着降低汽车应用中的功耗。

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